CY7C263-55JI

CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能的8192字×8位CMOS PROM。当未被选中时，CY7C261会自动进入低功耗待机模式，它采用300密耳宽的封装。CY7C263和CY7C264分别采用300密耳宽和600密耳宽的封装，未被选中时不会进入低功耗模式。可重编程的封装配备有擦除窗口，当暴露在紫外线下时，这些PROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C261、CY7C263和CY7C264可直接替代双极型器件，具有功耗更低、性能更优和编程良率更高的优点。EPROM单元的超高压仅需12.5V，低电流要求允许进行成组编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试，因为每个位置在封装前都会进行写入、擦除和反复测试。每个PROM还会进行交流性能测试，以确保客户编程后产品能满足直流和交流规格限制。读取操作通过在CS引脚上施加有效低电平信号来完成。地址线(A0 - A12)所寻址的存储位置的内容将在输出线(O0 - O7)上可用。

• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 具备窗口以实现可重编程性
• 高速：商业级20 ns
• 低功耗：商业级660 mW
• 超低待机功耗（7C261）：未选中时小于220 mW
• 快速访问：20 ns
• EPROM技术100%可编程
• 提供300密耳或标准600密耳封装
• 电源电压5V ± 10%，适用于商业和工业环境
• 能够承受大于200V的静电放电
• TTL兼容I/O
• 可直接替代双极型PROM