CY7C263-55JI

CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能8192字×8位CMOS可编程只读存储器。当取消选择时，CY7C261自动进入低功耗待机模式。它采用300密耳宽封装。CY7C263和CY7C264分别采用300密耳宽和600密耳宽封装，取消选择时不进入省电模式。可重编程封装配备擦除窗口；暴露于紫外光下时，这些存储器被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。这些器件是双极器件的直接替换品，具有低功耗、高性能和编程良率的优势。EPROM单元仅需12.5V超电压，低电流需求允许群编程。EPROM单元允许每个存储位置100%测试，因为每个位置在封装前被写入、擦除和反复练习。每个存储器还进行交流性能测试，以确保客户编程后产品满足直流和交流规格限制。读取通过将片选引脚置为有效低电平实现。由地址线A0至A12寻址的存储位置内容将出现在输出线O0至O7上。

• CMOS技术，实现速度与功耗平衡
• 窗口式封装，支持可重编程
• 高速：20纳秒（商业版），25纳秒
• 低功耗：660毫瓦（商业版），770毫瓦
• 超低待机功耗（7C261）：取消选择时低于220毫瓦；快速访问：20纳秒
• EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳薄型或600密耳标准封装
• 5伏±10%供电电压，商业版
• 能够承受大于200伏静电放电
• TTL兼容输入/输出
• 直接替换双极可编程只读存储器