CY7C264-25WC

CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能的8192字×8位CMOS PROM。当未被选中时，7C261自动进入低功耗待机模式，它采用300密耳宽的封装。7C263和7C264分别采用300密耳宽和600密耳宽的封装，未被选中时不会进入低功耗模式。可重编程的封装配备有擦除窗口；当暴露在紫外线下时，这些PROM会被擦除，然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C261、CY7C263和CY7C264可直接替代双极型器件，具有功耗更低、性能更优和编程良率更高的优点。EPROM单元的超电压仅需12.5V，低电流要求允许进行批量编程。EPROM单元可对每个存储位置进行100%测试，因为每个位置在封装前都会进行写入、擦除和反复测试。每个PROM还会进行交流性能测试，以确保客户编程后产品能满足直流和交流规格限制。读取操作通过在片选信号CS（低电平有效）上施加有效低电平信号来完成。地址线（A0 - A12）所寻址的存储位置的内容将在输出线（O0 - O7）上可用。

• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 具有窗口，可进行重编程
• 高速
  • 20 ns（商用）
• 低功耗
  • 660 mW（商用）
• 超低待机功耗（7C261）
  • 未选中时小于220 mW
  • 快速访问：20 ns
• EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳薄型或600密耳标准封装
• 电源电压Vcc为5V ± 10%，适用于商用
• 能够承受大于2001V的静电放电
• TTL兼容的输入/输出
• 可直接替代双极型PROM