CY7C264-25WC

CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能的8192字×8位CMOS PROM。当未被选中时，7C261自动进入低功耗待机模式。它采用300密耳宽度的封装。7C263和7C264分别采用300密耳和600密耳宽度的封装，在未被选中时不会进入低功耗模式。可重复编程的封装配备有擦除窗口；当暴露在紫外光下时，这些PROM被擦除，然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。这些器件具有较低功耗和性能。EPROM单元仅需12.5V的编程电压，其低电流需求支持并行编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试，因为每个位置在封装前都会被写入、擦除并反复测试。每个PROM也经过交流性能测试，以确保在用户编程后产品能满足直流和交流规格限制。通过向CS（低电平有效）引脚施加有效的低电平信号来完成读取操作。由地址线（A0 - A12）寻址的存储单元内容将出现在输出线（O0 - O7）上。

• 采用CMOS技术
• 具有窗口，支持可重复编程
• 高速：20纳秒
• 低功耗：660毫瓦
• 超低待机功耗（7C261）：当未被选中时低于220毫瓦，快速访问：20纳秒
• 采用EPROM技术，100%可编程
• 提供300密耳或标准600密耳封装
• 工作电压：5V ±10%
• 能够承受大于2001V的静电放电
• 输入/输出与TTL兼容
• 可替代PROM