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CY7C2668KV18-500BZC

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C2668KV18-500BZC
商品编号: C2954867
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

独立的读写数据端口
支持并发事务
550 MHz时钟，实现高带宽
四字突发，降低地址总线频率
读写端口均采用双倍数据速率（DDR）接口（数据传输频率为1100 MHz），时钟频率为550 MHz
具有2.5个时钟周期的延迟
两个输入时钟（K和K（上划线）），实现精确的DDR时序
静态随机存取存储器（SRAM）仅使用上升沿
回波时钟（CQ和CQ）简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚（QVLD）指示输出端的有效数据
片上终端（ODT）功能
支持D[x:0]、BWS[x:0]和K/K输入
单个复用地址输入总线锁存读写端口的地址输入
独立的端口选择，用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF置为高电平时，四倍数据速率（QDR）II+以2.5个周期的读取延迟运行
当DOFF置为低电平时，运行方式类似于具有1个周期读取延迟的QDR I器件
提供×18和×36配置
完全数据一致性，提供最新数据
核心VDD = 1.8 V ± 0.1 V；I/O VDDQ = 1.4 V至VDD
支持1.5 V和1.8 V I/O电源
高速收发器逻辑（HSTL）输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
采用165球细间距球栅阵列（FBGA）封装（15×17×1.4 mm）
提供无铅和含铅封装
符合JTAG 1149.1标准的测试访问端口
锁相环（PLL），实现精确的数据定位

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)