CY7C199N-12ZXC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C199N-12ZXC
商品编号: C2954936
商品封装: TSSOP-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C199N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，未选中时功耗降低81%。CY7C199NN采用标准300密耳宽DIP、SOJ和LCC封装。低电平有效写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上地址指定的存储位置。读取器件时，选中器件并使能输出，CE和OE为低电平，而WE保持无效或高电平。在此条件下，地址引脚信息指定位置的内容会出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚保持高阻态。采用芯片涂层提高抗α粒子能力。

商品特性

高速，访问时间为12纳秒，tDOE快速
采用CMOS技术，实现速度与功耗的优化平衡
低工作功耗，最大为467毫瓦（12纳秒“L”版本）
低待机功耗，最大为0.275毫瓦（“L”版本）
具备2伏数据保持功能（仅限“L”版本）
通过芯片使能和输出使能特性，易于进行存储器扩展
输入和输出与TTL电平兼容
在未选中时自动进入低功耗模式

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	12ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	160mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能