CY7C197N-45PXC
CY7C197N-45PXC
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- 商品型号
- CY7C197N-45PXC
- 商品编号
- C2954964
- 商品封装
- DIP-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 45ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C197N是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为256K字×1位。通过低电平有效的片选信号（CE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。CY7C197N具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低75%。当片选（CE）和写使能（WE）输入均为低电平时，可向器件写入数据。输入引脚（DIN）上的数据将被写入地址引脚（A0至A17）指定的存储位置。读取器件时，将片选（CE）置为低电平，写使能（WE）保持高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在数据输出（DOUT）引脚上。当片选（CE）为高电平或写使能（WE）为低电平时，输出引脚处于高阻态。CY7C197N采用芯片涂层以确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速
- 25 ns
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比
- 低工作功耗
- 880 mW
- 低待机功耗
- 220 mW
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电