- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CY7C197N-45PXC
CY7C197N-45PXC
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- 商品型号
- CY7C197N-45PXC
- 商品编号
- C2954964
- 商品封装
- DIP-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 45ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C197N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，其组织架构为256K字×1位。该器件通过低电平有效的片选信号和三态驱动器，便于实现存储容量的扩展。它具有自动掉电功能，在不被选中时可将功耗降低75%。当片选和写使能信号同时为低电平时，数据被写入由地址引脚指定的存储单元。当片选为低电平且写使能保持高电平时，可读取指定地址单元的内容并出现在数据输出引脚上。当片选为高电平或写使能为低电平时，输出引脚处于高阻态。
商品特性
- 高速，访问时间为25纳秒
- 采用CMOS工艺，实现速度与功耗的优化
- 低工作功耗，典型值为880毫瓦
- 低待机功耗，典型值为220毫瓦
- 输入输出与TTL电平兼容
- 不选中时自动掉电