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CY7C194-25SCQ实物图
  • CY7C194-25SCQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C194-25SCQ

CY7C194-25SCQ

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商品型号
CY7C194-25SCQ
商品编号
C2954975
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间25ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流120mA
待机电流20mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C194、CY7C195和CY7C196是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536×4位。通过低电平有效的芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)和三态驱动器可轻松进行内存扩展。它们具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低75%。当芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)和写使能信号(WE)输入均为低电平时,可完成对器件的写入操作。四个输入引脚(I/O₀至I/O₃)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₅)指定的存储位置。读取器件时,将芯片使能信号(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE₁、CE₂)置为低电平,同时写使能信号(WE)保持高电平。在这些条件下,由地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据输出引脚上。采用芯片涂层以确保α射线免疫。

商品特性

  • 未选中时自动掉电
  • 输出使能(OE)功能(7C195和7C196)
  • 采用CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
  • 高速,tAA = 25
  • 低有源功耗880 mW
  • 低待机功耗220 mW
  • TTL兼容的输入和输出
  • 能够承受大于2001V的静电放电

数据手册PDF