CY7C166-20PC
CY7C166-20PC
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- 商品型号
- CY7C166-20PC
- 商品编号
- C2954995
- 商品封装
- DIP-22P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 115mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C164和CY7C166是高性能CMOS静态RAM,组织为16,384×4位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和三态驱动器,提供简便的内存扩展。CY7C166具有低电平有效的输出使能(OE)功能。两种器件都具有自动断电功能,在取消选择时功耗降低65%。当芯片使能(CE)和写使能(WE)输入均为低电平时(对于CY7C166,输出使能(OE)也为低电平),即可对器件进行写入。四个输入/输出引脚(I/O0至I/O3)上的数据被写入到地址引脚(A0至A13)指定的存储位置。通过将芯片使能(CE)置为低电平(对于CY7C166,OE也为低电平),同时写使能(WE)保持高电平,即可读取器件。在此条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在四个数据I/O引脚上。当芯片使能(CE)为高电平(或对于CY7C166,输出使能(OE)为高电平)时,I/O引脚保持高阻抗状态。使用芯片涂层来确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速,访问时间15纳秒
- 输出使能(OE)功能(CY7C166)
- CMOS技术,实现速度/功耗优化
- 低工作功耗,633毫瓦
- 低待机功耗,110毫瓦
- TTL兼容输入和输出
- 取消选择时自动断电
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