CY7C1613KV18-250BZXC

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1613KV18-250BZXC
商品编号: C2955015
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1625KV18、CY7C1612KV18和CY7C1614KV18是配备QDR II架构的1.8V同步流水线SRAM。QDR II架构包含两个独立的端口：用于访问存储阵列的读取端口和写入端口。读取端口具有专用的数据输出以支持读取操作，写入端口具有专用的数据输入以支持写入操作。QDR II架构具有独立的数据输入和数据输出，完全消除了在共用输入/输出设备中存在的需要“转向”数据总线的情况。对每个端口的访问通过一个公共地址总线进行。读取和写入地址在输入时钟的交替上升沿锁存。对QDR II读取和写入端口的访问彼此完全独立。为了最大化数据吞吐量，读取和写入端口都配备了双倍数据率接口。每个地址位置关联两个9位字、18位字或36位字，这些字顺序突发进入或传出器件。由于数据可以在两个输入时钟的每个上升沿传入和传出器件，因此在通过消除总线转向来简化系统设计的同时，存储器带宽得以最大化。深度扩展通过端口选择实现，这使每个端口能够独立运行。所有同步输入通过由输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由输出时钟控制的输出寄存器。写入操作由片内同步自定时写入电路执行。

商品特性

独立的读写数据端口
支持并发事务
360MHz时钟，提供高带宽
所有访问均采用两字突发
读写端口均具备双倍数据率接口
两个输入时钟，用于精确的双倍数据率时序
仅使用上升沿
两个输入时钟用于输出数据，以最小化时钟偏斜和飞行时间失配
回波时钟简化高速系统中的数据捕获
单一复用地址输入总线为读写端口锁存地址输入
独立的端口选择用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF置高时，四倍数据率II以1.5周期读取延迟运行
当DOFF置低时，以1周期读取延迟运行，类似于四倍数据率I器件
提供×9、×18和×36配置
完全数据一致性，提供最新数据
内核VDD = 1.8V；输入/输出VDDQ = 1.4V 至 VDD
支持1.5V和1.8V输入/输出电源
提供165球细间距球栅阵列封装
提供无铅和非无铅封装
可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	144Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	800mA
	待机电流	370mA
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能