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CY7C1520AV18-200BZI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1520AV18-200BZI
商品编号: C2955040
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	735mA
	待机电流	360mA

商品概述

CY7C1518AV18和CY7C1520AV18是1.8V同步流水线静态随机存取存储器（SRAM），采用DDR - II架构。DDR - II由一个带有先进同步外围电路的SRAM内核和一个1位突发计数器组成。读写地址在输入（K）时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。如果提供C和C，读数据在C和C的上升沿驱动；如果未提供C和C，则在读数据在K和K的上升沿驱动。在CY7C1518AV18和CY7C1520AV18上，突发计数器接收外部地址的最低有效位，对于CY7C1518AV18依次突发两个18位字，对于CY7C1520AV18依次突发两个36位字进出设备。异步输入包括与输入（ZQ）匹配的输出阻抗。同步数据输出（Q，与数据输入D共享相同物理引脚）与两个输出回波时钟CQ / CQ紧密匹配，消除了在系统设计中从每个单独的DDR SRAM单独捕获数据的需要。输出数据时钟（C / C）实现了最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K（上划线）输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由C或C（上划线）（或在单时钟域中的K或K（上划线））输入时钟控制的输出寄存器。写操作通过片上同步自定时写电路进行。

商品特性

72兆位密度（4M×18、2M×36）
300MHz时钟，实现高带宽
双字突发，降低地址总线频率
300MHz下的双倍数据速率（DDR）接口（数据传输速率为600MHz）
两个输入时钟（K和K（上划线）），实现精确的DDR时序
SRAM仅使用上升沿
两个用于输出数据的输入时钟（C和C（上划线）），最小化时钟偏移和传输时间不匹配
回波时钟（CQ和CQ）简化高速系统中的数据捕获
同步内部自定时写操作
启用延迟锁定环（DLL）时，DDR - II以1.5个周期的读取延迟运行
DLL关闭模式下，作为DDR - I设备以一个周期的读取延迟运行
1.8V核心电源，具有HSTL输入和输出
可变驱动HSTL输出缓冲器
扩展的HSTL输出电压（1.4V - VDD）
采用165球FBGA封装（15×17×1.4mm）
提供无铅和有铅两种封装
兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
DLL用于精确的数据定位

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V