CY7C1520AV18-200BZI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1520AV18-200BZI
商品编号: C2955040
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	735mA
	待机电流	360mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

CY7C1518AV18和CY7C1520AV18是1.8V同步流水线静态随机存取存储器（SRAM），采用DDR - II架构。DDR - II由一个带有先进同步外围电路的SRAM内核和一个1位突发计数器组成。读写地址在输入（K）时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。如果提供C和C，读数据在C和C的上升沿驱动；如果未提供C和C，则在读数据在K和K的上升沿驱动。在CY7C1518AV18和CY7C1520AV18上，突发计数器接收外部地址的最低有效位，对于CY7C1518AV18依次突发两个18位字，对于CY7C1520AV18依次突发两个36位字进出设备。异步输入包括与输入（ZQ）匹配的输出阻抗。同步数据输出（Q，与数据输入D共享相同物理引脚）与两个输出回波时钟CQ / CQ紧密匹配，消除了在系统设计中从每个单独的DDR SRAM单独捕获数据的需要。输出数据时钟（C / C）实现了最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K（上划线）输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由C或C（上划线）（或在单时钟域中的K或K（上划线））输入时钟控制的输出寄存器。写操作通过片上同步自定时写电路进行。

商品特性

密度为72兆位，支持4兆乘以18位和2兆乘以36位配置
时钟频率为300兆赫，支持双倍数据率接口，数据在300兆赫时钟下以600兆赫速率传输
采用双字突发架构，可降低地址总线频率
提供两个输入时钟用于精确的双倍数据率时序控制，静态随机存取存储器仅使用上升沿
提供两个输出数据输入时钟，以最小化时钟偏移和飞行时间不匹配
回波时钟简化高速系统中的数据捕获
支持同步内部自定时写入操作
当延迟锁定环启用时，双倍数据率第二代操作具有1.5个周期的读取延迟；在延迟锁定环关闭模式下，可作为具有单周期读取延迟的双倍数据率第一代设备运行
核心电源电压为1.8伏，采用高速收发器逻辑电平和输出
具有可变驱动能力的高速收发器逻辑输出缓冲器
提供扩展的高速收发器逻辑输出电压范围
采用165球栅阵列封装
符合联合测试行动组1149.1标准的测试访问端口
集成延迟锁定环以实现精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V