CY7C150-15PC

CY7C150是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），专为高速缓存、高速图形和数据采集应用而设计。CY7C150具备内存复位功能，可在两个内存周期内将整个内存复位。独立的输入/输出路径无需对输入和输出数据进行多路复用，简化了电路板布局，提高了系统性能。在写入、复位、取消选择或输出使能（OE）为高电平时，输出呈三态，便于内存扩展。通过选择器件（片选信号CS为低电平）并将复位（RS）输入置为低电平来启动复位操作，在两个内存周期内，所有位将在内部清零。当片选（CS）和写使能（WE）输入均为低电平时，可向器件写入数据，四个数据输入（D0 - D3）上的数据将被写入地址引脚（A0至A9）指定的内存位置。当片选（CS）和输出使能（OE）为低电平，写使能（WE）保持高电平时，可读取器件，此时地址引脚指定的内存位置的内容将出现在四个输出引脚（O0至O3）上。当芯片使能（CE）或输出使能（OE）为高电平，或写使能（WE）或复位（RS）为低电平时，输出引脚保持高阻态。采用管芯涂层以确保抗α粒子干扰。

• 内存复位功能
• 用于高速计算机控制存储的1024 x 4静态随机存取存储器
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 高速：10 ns（商用）~ 12 ns
• 低功耗：495 mW（商用）~ 550 mW
• 独立的输入和输出
• 5伏电源，公差±10%（商用）
• 能够承受大于2001V的静电放电
• TTL兼容的输入和输出

• 高速缓存
• 高速图形
• 数据采集