CY7C150-15PC

CY7C150是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），专为高速缓存、高速图形和数据采集应用而设计。CY7C150具备内存复位功能，可在两个内存周期内将整个内存复位。独立的输入/输出路径无需对输入和输出数据进行多路复用，简化了电路板布局，提高了系统性能。在写入、复位、取消选择或输出使能（OE）为高电平时，输出呈三态，便于内存扩展。通过选择器件（片选信号CS为低电平）并将复位（RS）输入置为低电平来启动复位操作，在两个内存周期内，所有位将在内部清零。当片选（CS）和写使能（WE）输入均为低电平时，可向器件写入数据，四个数据输入（D0 - D3）上的数据将被写入地址引脚（A0至A9）指定的内存位置。当片选（CS）和输出使能（OE）为低电平，写使能（WE）保持高电平时，可读取器件，此时地址引脚指定的内存位置的内容将出现在四个输出引脚（O0至O3）上。当芯片使能（CE）或输出使能（OE）为高电平，或写使能（WE）或复位（RS）为低电平时，输出引脚保持高阻态。采用管芯涂层以确保抗α粒子干扰。

• 具备内存复位功能
• 采用1024×4静态RAM架构，适用于高速计算机中的控制存储
• 采用CMOS工艺，在速度与功耗之间实现优化平衡
• 高速运行，访问时间低至10纳秒
• 功耗低，典型功耗为495毫瓦
• 输入与输出端口独立
• 采用5伏电源供电，容差为±10%
• 能够承受超过2001伏的静电放电
• 输入输出电平与TTL兼容

• 高速缓存
• 高速图形
• 数据采集