CY62126DV30LL-55BVI

CY62126DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低90%。当器件未被选中（CE为高电平）时，可进入待机模式，功耗降低超过99%。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或处于写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 超高速
• 55 ns
• 温度范围
  • 工业级：-40°C至85°C
  • 汽车级：-40°C至125°C
• 宽电压范围
• 2.2V - 3.6V
• 与CY62126BV引脚兼容
• 超低工作功耗
  • 典型工作电流：在f = 1 MHz时为0.85 mA
  • 典型工作电流：在f = fMax（55 ns速度）时为5 mA
• 超低待机功耗
• 借助CE和OE功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 提供无铅和含铅的48球VFBGA和44引脚TSOP II封装

• 便携式应用
• 手机