CY7C1460BV25-250BZXC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1460BV25-250BZXC
商品编号: C2955113
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1460BV25/CY7C1462BV25是2.5V，1M×36/2M×18的同步流水线突发SRAM，分别具有无总线延迟逻辑。它们旨在支持无等待状态的连续读写操作。这些芯片配备了先进的无总线延迟逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续的读写操作，显著提高了需要频繁进行读写转换的系统中的数据吞吐量。所有同步输入都通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出都通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能信号控制，当该信号无效时，将暂停操作并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择信号和写使能输入控制。所有写入均通过片内同步自定时写电路进行。三个同步片选信号和一个异步输出使能信号便于存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写入序列的数据部分，输出驱动器会被同步置于三态。

商品特性

引脚兼容且功能等效
支持零等待状态的250MHz总线操作
内部自定时输出缓冲控制，无需使用异步输出使能
完全寄存器化，适用于流水线操作
具备字节写能力
2.5V核心电源供电
2.5V I/O电源供电
快速的时钟到输出时间：2.6ns
提供时钟使能引脚以暂停操作
同步自定时写入
CY7C1460BV25和CY7C1462BV25采用无铅165球FBGA封装，CY7C1462BV25还采用符合JEDEC标准的无铅100引脚TQFP封装
符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
具备突发能力，支持线性或交错突发顺序
提供“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	36Mbit
	工作电压	2.375V~2.625V
	读写时间	2.6ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	435mA
	待机电流	120mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能