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CY7C14702XC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C14702XC
商品编号: C2955090
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1470V25/CY7C1472V25/CY7C1474V25分别是2.5V、2M×36/4M×18/1M×72的同步流水线突发静态随机存取存储器，具有无总线延迟（NoBL）逻辑。它们设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。CY7C1470V25/CY7C1472V25/CY7C1474V25配备了先进的（NoBL）逻辑，可在每个时钟周期传输数据的情况下实现连续读写操作。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统中的数据吞吐量。CY7C1470V25/CY7C1472V25/CY7C1474V25与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器，所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当该信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择（CY7C1474V25的BW（上划线）a - BW（上划线）h、CY7C1470V25的BW（上划线）a - BW（上划线）d和CY7C1472V25的BW（上划线）a - BW（上划线）b）和写使能（WE）输入控制。所有写操作都通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能（CE1（上划线）、CE2、CE3（上划线））和一个异步输出使能（OE（上划线））便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用，在写序列的数据部分期间，输出驱动器同步三态。

商品特性

引脚与ZBT兼容且功能等效
支持200MHz总线操作，无等待状态，可用速度等级为200和167MHz
内部自定时输出缓冲控制，无需使用异步OE
完全寄存器化（输入和输出）以实现流水线操作
字节写能力
单2.5V电源
2.5V/1.8V I/O电源（VDDQ）
快速时钟到输出时间（200MHz器件为3.0ns）
时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
同步自定时写
CY7C1470V25采用JEDEC标准无铅100引脚TQFP、无铅和含铅165球FBGA封装。CY7C1472V25采用JEDEC标准无铅100引脚TQFP封装。CY7C1474V25采用无铅和含铅209球FBGA封装
符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
突发能力 - 线性或交错突发顺序
“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	2.375V~2.625V

	属性	参数值
	读写时间	3ns
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	450mA
	待机电流	120mA