CY62157DV30LL-55BVI

CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流。它非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或者BHE和BLE均为高电平），器件可进入待机模式。当出现以下情况时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）会处于高阻抗状态：未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平），或在写操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）。向器件写入数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能信号（WE）输入设为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能信号（OE）设为低电平，同时将写使能信号（WE）设为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅真值表。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064《SRAM系统指南》。

• 温度范围：工业级 -40 °C至85 °C
• 超高速：55 ns
• 宽电压范围：2.20 V - 3.60 V
• 与CY62157CV25、CY62157CV30和CY62157CV33引脚兼容
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：1.5 mA（f = 1 MHz）
• 典型工作电流：12 mA（f = fmax）
• 超低待机功耗
• 借助CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能轻松实现内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用互补金属氧化物半导体（CMOS）以实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅的48球细间距球栅阵列（FBGA）封装，以及无铅的44引脚薄型小外形封装（TSOPII）

• 便携式应用
• 移动电话