CY7C1019D-10VXI
高性能CMOS静态RAM,具备高速、低功耗、自动掉电功能,引脚和功能兼容,易于内存扩展
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- 商品型号
- CY7C1019D-10VXI
- 商品编号
- C2955078
- 商品封装
- SOJ-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 80mA | |
| 待机电流 | 3mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1019D 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 131,072 字 × 8 位。通过低电平有效的芯片使能 (CE)、低电平有效的输出使能 (OE) 和三态驱动器,提供轻松的内存扩展。该器件具有自动断电功能,在取消选择时显著降低功耗。当取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平) 或写操作激活 (CE 低电平且 WE 低电平) 时,八个输入输出引脚 (IO0 至 IO7) 处于高阻抗状态。通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。然后,八个 IO 引脚 (IO0 至 IO7) 上的数据被写入地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。通过将芯片使能 (CE) 和输出使能 (OE) 置为低电平,同时强制写使能 (WE) 为高电平来读取设备。在此条件下,地址引脚指定的内存位置内容出现在 IO 引脚上。该器件适用于与具有 TTL 输入/输出电平的处理器接口。
商品特性
- 引脚和功能与 CY7C1019B 兼容
- 高速:tAA = 10 ns
- 低有功功耗:ICC = 80 mA @ 10 ns
- 低 CMOS 待机功耗:ISB2 = 3 mA
- 2.0 V 数据保持
- 取消选择时自动断电
- CMOS 实现速度/功耗比
- 中心电源/接地引脚排列
- 通过 CE 和 OE 选项轻松扩展内存
- 功能上等同于 CY7C1019B
- 提供无铅 32 引脚 400-Mil 宽模压 SOJ 和 32 引脚 TSOP II 封装
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