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CY7C1019D-10VXI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1019D-10VXI

高性能CMOS静态RAM,具备高速、低功耗、自动掉电功能,引脚和功能兼容,易于内存扩展

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商品型号
CY7C1019D-10VXI
商品编号
C2955078
商品封装
SOJ-32​
包装方式
管装
商品毛重
1.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流80mA
待机电流3mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1019D 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 131,072 字 × 8 位。通过低电平有效的芯片使能 (CE)、低电平有效的输出使能 (OE) 和三态驱动器,提供轻松的内存扩展。该器件具有自动断电功能,在取消选择时显著降低功耗。当取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平) 或写操作激活 (CE 低电平且 WE 低电平) 时,八个输入输出引脚 (IO0 至 IO7) 处于高阻抗状态。通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。然后,八个 IO 引脚 (IO0 至 IO7) 上的数据被写入地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。通过将芯片使能 (CE) 和输出使能 (OE) 置为低电平,同时强制写使能 (WE) 为高电平来读取设备。在此条件下,地址引脚指定的内存位置内容出现在 IO 引脚上。该器件适用于与具有 TTL 输入/输出电平的处理器接口。

商品特性

  • 引脚和功能与 CY7C1019B 兼容
  • 高速:tAA = 10 ns
  • 低有功功耗:ICC = 80 mA @ 10 ns
  • 低 CMOS 待机功耗:ISB2 = 3 mA
  • 2.0 V 数据保持
  • 取消选择时自动断电
  • CMOS 实现速度/功耗比
  • 中心电源/接地引脚排列
  • 通过 CE 和 OE 选项轻松扩展内存
  • 功能上等同于 CY7C1019B
  • 提供无铅 32 引脚 400-Mil 宽模压 SOJ 和 32 引脚 TSOP II 封装

数据手册PDF