CY7C150-10DC

CY7C150是一款高性能CMOS静态RAM，设计用于缓存存储器、高速图形和数据采集应用。该器件具有内存复位功能，允许在两个内存周期内复位整个存储器。独立的输入/输出路径消除了数据输入和输出多路复用的需要，从而简化了电路板布局并提高了系统性能。在写入、复位、取消选择或输出使能（OE）保持高电平时，输出处于三态，便于内存扩展。复位通过使芯片选择（CS）为低电平并使复位输入（RS）为低电平来启动。在两个内存周期内，所有位内部清零。由于复位需要芯片选择为低电平，因此可以使用全局复位信号，在任何给定时间仅清除选定的器件。写入操作在芯片选择（CS）和写入使能（WE）均为低电平时完成。四个数据输入（D0至D3）上的数据被写入到地址引脚A0至A9指定的内存位置。读取操作在芯片选择（CS）和输出使能（OE）为低电平且写入使能（WE）保持高电平时完成。在此条件下，地址引脚指定的内存位置的内容将出现在四个输出引脚O0至O3上。当芯片使能（CE）或输出使能（OE）为高电平，或写入使能（WE）或复位（RS）为低电平时，输出引脚保持高阻抗状态。使用芯片涂层以确保抗阿尔法粒子干扰。

• 内存复位功能
• 用于高速计算机控制存储的1024 x 4静态RAM
• 低功耗：商用条件下功耗为495 mW
• 独立的输入和输出
• 能够承受大于2001V的静电放电
• TTL兼容的输入和输出

• 高速缓冲存储器
• 高速图形
• 数据采集