CY7C150-10DC

CY7C150是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，设计用于高速缓冲存储器、高速图形和数据采集应用。CY7C150具有内存复位功能，可在两个内存周期内将整个内存复位。独立的输入/输出路径消除了对数据输入和输出进行多路复用的需求，使电路板布局更简单，系统性能更快。在写入、复位、取消选择或输出使能（OE）为高电平时，输出呈三态，便于内存扩展。复位通过选择器件（片选信号CS上划线为低电平）并将复位信号（RS上划线）输入置为低电平来启动。在两个内存周期内，所有位在内部清零。由于要复位器件，片选信号必须为低电平，因此可以采用全局复位信号，在任何给定时间仅清除选定的器件。向器件写入数据时，片选信号（CS上划线）和写使能信号（WE上划线）输入均为低电平。四个数据输入（D0 - D3）上的数据被写入地址引脚A0至A9指定的内存位置。读取器件时，片选信号（CS）和输出使能信号（OE）为低电平，而写使能信号（WE）保持高电平。在这些条件下，地址引脚指定的内存位置的内容将出现在四个输出引脚O0至O3上。当芯片使能（CE）或输出使能（OE）为高电平，或者写使能（WE）或复位（RS）为低电平时，输出引脚保持高阻抗状态。采用芯片涂层以确保抗α射线干扰。

• 内存复位功能
• 用于高速计算机控制存储的1024 x 4静态随机存取存储器
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 高速：10 ns（商用），12 ns
• 低功耗：-495 mW（商用），-550 mW
• 独立的输入和输出
• 5伏电源，±10%容差（商用）
• 能够承受大于2001V的静电放电
• TTL兼容的输入和输出

• 高速缓冲存储器
• 高速图形
• 数据采集