CY7C1512KV18-200BZXI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1512KV18-200BZXI
商品编号: C2955058
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	550mA
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1510KV18、CY7C1525KV18、CY7C1512KV18和CY7C1514KV18是1.8V同步流水线SRAM，配备QDR II架构。QDR II架构由两个独立端口组成：读取端口和写入端口，用于访问存储器阵列。读取端口具有专用数据输出以支持读取操作，写入端口具有专用数据输入以支持写入操作。QDR II架构具有独立的数据输入和输出，以消除常见I/O设备中数据总线转向的需求。每个端口的访问通过公共地址总线进行。读取和写入地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。QDR II读取和写入端口的访问彼此独立。为了最大化数据吞吐量，读取和写入端口都配备了DDR接口。每个地址位置与两个8位字、9位字、18位字或36位字相关联，这些字顺序突发进入或离开设备。由于数据可以在输入时钟K和K以及C和C的每个上升沿传输到设备和从设备传输，存储器带宽最大化，同时通过消除总线转向简化系统设计。深度扩展通过端口选择实现，使每个端口独立操作。所有同步输入通过由K或K上划线输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由C或C上划线输入时钟控制的输出寄存器。写入通过片上同步自定时写入电路进行。

商品特性

独立的读写数据端口
支持并发事务
333 MHz时钟，实现高带宽
所有访问支持2字突发
读写端口均配备双数据速率接口
两个输入时钟用于精确的DDR时序
SRAM仅使用上升沿
两个输出数据时钟，以最小化时钟偏斜和飞行时间不匹配
回波时钟，简化高速系统中的数据捕获
单一多路地址输入总线，锁存读写端口的地址输入
独立的端口选择，用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF上划线置高时，QDR II以1.5周期读取延迟操作
当DOFF置低时，操作类似于QDR I设备，具有1周期读取延迟
提供x8、x9、x18和x36配置
核心VDD = 1.8V (±0.1V)；I/O VDDQ = 1.4V 至 VDD
支持1.5V和1.8V I/O电源
提供165球FBGA封装
提供无铅和非无铅封装
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容测试访问端口
锁相环，用于精确数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V