CY7C1512-35SC
CY7C1512-35SC
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- 商品型号
- CY7C1512-35SC
- 商品编号
- C2955060
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 110mA | |
| 待机电流 | 5mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1512是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为65,536字×8位。它通过一个低电平有效芯片使能(CE1上划线)、一个高电平有效芯片使能(CE2)、一个低电平有效输出使能(OE上划线)和三态驱动器实现轻松的内存扩展。该器件具有自动掉电功能,当未被选中时,可将功耗降低75%以上。写入操作通过将芯片使能一(CE1上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,芯片使能二(CE2)输入置为高电平来完成。读取操作通过将芯片使能一(CE1上划线)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)和芯片使能二(CE2)置为高电平来完成。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或在写入操作期间(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),八个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。CY7C1512有标准TSOP I型和450密耳宽塑料SOIC封装可供选择。
商品特性
- 高速
- AA访问时间为15纳秒
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗,770毫瓦
- 低待机功耗,28毫瓦
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出
- 可通过CE1上划线、CE2和OE上划线选项轻松进行内存扩展
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