CY7C1570V18-375BZC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1570V18-375BZC
商品编号: C2955017
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	1.3A
	待机电流	525mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

CY7C1566V18、CY7C1577V18、CY7C1568V18和CY7C1570V18是配备DDR接口的同步流水线突发静态随机存取存储器（SRAM）。访问在正输入时钟（K）的上升沿启动。所有同步输入和输出时序都参考输入时钟（K和K上划线）的上升沿。所有同步数据输入（Dx:0）通过由输入时钟（K和K上划线）上升沿控制的输入寄存器。所有同步数据输出（Qx:0）通过由输入时钟（K和K上划线）上升沿控制的输出寄存器。所有同步控制（R/W、LD、NWS[x:0]、BWS[x:0]）输入通过由输入时钟（K）上升沿控制的输入寄存器。

商品特性

72-Mbit密度 (8M x 8, 8M x 9, 4M x 18, 2M x 36)
400 MHz时钟，用于高带宽
2字突发，用于降低地址总线频率
双数据率（DDR）接口（数据以800 MHz传输）在400 MHz下
可用2.5时钟周期延迟
两个输入时钟（K和K上划线）用于精确的DDR时序
SRAM仅使用上升沿
回波时钟（CQ和CQ上划线）简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚（QVLD）用于指示输出上的有效数据
同步内部自定时写入
核心VDD = 1.8 V ± 0.1 V；IO VDDQ = 1.4 V至VDD
HSTL输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
提供165球FBGA封装（15 x 17 x 1.4 mm）
提供无铅和非无铅封装
JTAG 1149.1兼容测试访问端口
延迟锁定环（DLL）用于精确数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V