CY7C1355C-133AXI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1355C-133AXI
商品编号: C2955023
商品封装: LQFP-100(14x20)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1355C/CY7C1357C是一款3.3V、256K x 36/512K x 18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该器件配备先进的无总线延迟（NoBL）逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续的读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，尤其在需要频繁进行写读转换的系统中表现出色。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当CEN信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为6.5 ns（133-MHz器件）。写操作由两个或四个字节写选择（BWX上划线）和一个写使能（WE）输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

商品特性

无总线延迟（NoBL™）架构消除了写周期和读周期之间的死周期
可支持高达133-MHz的总线操作，零等待状态，每个时钟周期传输数据
引脚与ZBT™器件兼容，功能等效
内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE
用于直通操作的寄存器输入
字节写功能
3.3V/2.5V I/O电源（VDDQ）
快速时钟到输出时间（133-MHz器件为6.5 ns）
时钟使能（CEN）引脚，用于使能时钟和暂停操作
同步自定时写操作
异步输出使能
提供JEDEC标准和无铅100引脚TQFP、无铅和有铅119球BGA封装以及165球FBGA封装
三个芯片使能，便于进行简单的深度扩展
可使用ZZ模式或CE取消选择实现自动掉电功能
符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
突发能力，支持线性或交错突发顺序
低待机功耗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	9Mbit
	工作电压	3.135V~3.6V
	读写时间	6.5ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	250mA
	待机电流	40mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能