CY7C199N-20PXC
CY7C199N-20PXC
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- 商品型号
- CY7C199N-20PXC
- 商品编号
- C2954934
- 商品封装
- DIP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 150mA | |
| 待机电流 | 10mA |
商品概述
CY7C199N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，未选中时功耗降低81%。CY7C199NN采用标准300密耳宽DIP、SOJ和LCC封装。低电平有效写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上地址指定的存储位置。读取器件时，选中器件并使能输出，CE和OE为低电平，而WE保持无效或高电平。在此条件下，地址引脚信息指定位置的内容会出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚保持高阻态。采用芯片涂层提高抗α粒子能力。
商品特性
- 高速
- 12 ns
- 快速tDOE
- 采用CMOS以实现最佳速度/功耗
- 低工作功耗
- 467 mW（最大值，12 ns “L”版本）
- 低待机功耗
- 0.275 mW（最大值，“L”版本）
- 2V数据保持（仅“L”版本）
- 通过CE和OE功能轻松进行内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电