- 引脚图
- 焊盘图
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CY7C274-45JC
CY7C274-45JC
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- 商品型号
- CY7C274-45JC
- 商品编号
- C2954861
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
CY7C271和CY7C274是高性能的32768字×8位CMOS PROM。当禁用（CE为高电平）时，7C271/7C274会自动进入低功耗待机模式。CY7C271采用300密耳薄型封装，CY7C274采用行业标准的600密耳封装。两者都有带擦除窗口的陶瓷双列直插式封装，可进行重新编程。当暴露在紫外线下时，PROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C271和CY7C274具有低功耗、卓越性能和高编程良率的优势。EPROM单元的超高压仅需12.5V，低电流需求允许进行成组编程。每个存储单元在封装前都经过写入、擦除和反复测试，可100%测试每个存储位置。每个PROM还进行交流性能测试，以确保客户编程后产品符合直流和交流规格限制。读取7C271时，需在CS1（上划线）和CE（上划线）上施加有效低电平信号，在CS2上施加有效高电平信号。读取7C274时，需在OE和CE上施加有效低电平信号。地址线（A0 - A14）寻址的存储单元内容将在输出线（O0 - O7）上可用。
商品特性
- CMOS用于速度/功率
- 窗口式设计，可重新编程
- 高速 —30 ns（商业级）
- 低功耗
- 660 mW（商业级）
- 低待机功耗
- 取消选择时功耗低于165 mW
- EPROM技术，100%可编程
- 纤薄300-mil封装（7C271）
- 可直接替代双极PROM
- 能够承受>2001 V静电放电