CY7C271-55PC

CY7C271和CY7C274是高性能的32768字×8位CMOS PROM。当禁用（CE为高电平）时，7C271/7C274会自动进入低功耗待机模式。CY7C271采用300密耳超薄封装，CY7C274采用行业标准的600密耳封装。7C271和7C274都有配备擦除窗口的陶瓷双列直插式封装，可实现可重编程。当暴露在紫外线下时，PROM会被擦除并可重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节级智能编程算法。CY7C271和CY7C274具有低功耗、卓越性能和高编程良率的优势。EPROM单元的超电压仅需12.5V，低电流需求允许进行批量编程。EPROM单元可对每个存储位置进行100%测试，因为每个位置在封装前都会进行写入、擦除和反复操作。每个PROM还会进行交流性能测试，以确保客户编程后产品能满足直流和交流规格限制。读取7C271时，需在CS1（上划线）和CE（上划线）上施加有效低电平信号，在CS2上施加有效高电平信号。读取7C274时，需在OE（上划线）和CE（上划线）上施加有效低电平信号。地址线（A0 - A14）所寻址的存储单元内容将在输出线（O0 - O7）上可用。

• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功率比
• 具有可重编程窗口
• 高速
  • 30 ns（商用）
  • 35 ns
• 低功耗
  • 660 mW（商用）
  • 715 mW
• 超低待机功耗
  • 未选中时小于165 mW
• EPROM技术，100%可编程
• 超薄300密耳封装（7C271）
• 可直接替代双极型PROM
• 能够承受大于2001V的静电放电