CY7C271-55PC

CY7C271和CY7C274是高性能的32,768字×8位CMOS PROM。当禁用（CE高电平时），7C271/7C274自动进入低功耗待机模式。CY7C271采用300密耳的薄型封装。CY7C274采用行业标准的600密耳封装。7C271和7C274均提供带有擦除窗口的陶瓷双列直插封装，以实现可重编程性。当暴露在紫外线下时，PROM被擦除并可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。CY7C271和CY7C274具有低功耗、高性能和编程良率的优势。EPROM单元仅需12.5V的超电压，低电流要求允许并行编程。EPROM单元允许每个存储位置100%测试，因为每个位置在封装前都被写入、擦除和反复操作。每个PROM还经过AC性能测试，以确保客户编程后产品满足DC和AC规格限制。

• CMOS用于速度和功率优化
• 窗口式设计用于可重编程性
• 高速
• 30纳秒
• 35纳秒
• 低功耗
• 660毫瓦
• 715毫瓦
• 低待机功耗
• 取消选择时功耗低于165毫瓦
• EPROM技术100%可编程
• 薄型300密耳封装（7C271）
• 直接替代双极PROM
• 能够承受>2001V静电放电