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CY7C291-35LMB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C291-35LMB

CY7C291-35LMB

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商品型号
CY7C291-35LMB
商品编号
C2954856
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录非易失性存储器(ROM)
属性参数值
功能特性-

商品概述

CY7C291和CY7C292是高性能的2048字×8位CMOS PROM。它们功能相同,但分别采用300密耳和600密耳宽的塑料和密封双列直插式封装。300密耳陶瓷双列直插式封装配备有擦除窗口;当暴露在紫外线下时,PROM被擦除,然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。CY7C291和CY7C292是双极型器件的直接替代品,具有功耗更低、性能更优和编程成品率更高的优点。EPROM单元的超高压仅需12.5V,低电流要求允许进行成组编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试,因为每个位置在封装前都要进行写入、擦除和反复操作。每个PROM还进行交流性能测试,以确保在客户编程后,产品能满足直流和交流规格限制。读取操作通过在CS₁上施加有效低电平信号,在CS₂和CS₃上施加有效高电平信号来完成。地址线(A₀ - A₁₀)所寻址的存储位置的内容将在输出线(O₀ - O₇)上可用。

商品特性

  • 窗口化设计,可重新编程
  • 采用CMOS技术,实现最佳速度/功耗比
  • 高速:35 ns(商用)
  • 高速:35 ns
  • 低功耗:330 mW(商用)
  • EPROM技术,100%可编程
  • 提供300密耳薄型或600密耳标准封装
  • VCC为5V ± 10%,适用于商用
  • TTL兼容I/O
  • 可直接替代双极型PROM
  • 能够承受大于2000V的静电放电

数据手册PDF