CY7C291-35LMB
CY7C291-35LMB
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- 商品型号
- CY7C291-35LMB
- 商品编号
- C2954856
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
CY7C291和CY7C292是高性能2048字×8位CMOS PROM。它们在功能上相同,但分别封装在300密耳和600密耳宽的塑料和密封DIP封装中。300密耳陶瓷DIP封装配备擦除窗口;当暴露于紫外光时,PROM被擦除,然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。CY7C291和CY7C292是双极器件的直接替换品,具有低功耗、性能和编程良率的优势。EPROM单元仅需12.5V超电压,低电流要求允许群编程。EPROM单元允许每个存储位置100%测试,因为每个位置在封装前被写入、擦除和反复锻炼。每个PROM还经过AC性能测试,以保证客户编程后,产品满足DC和AC规格限制。读取通过将有效低信号置于CS1,有效高信号置于CS2和CS3来实现。由地址线A0 - A10寻址的存储位置的内容将在输出线O0 - O7上可用。
商品特性
- 可重编程窗口
- CMOS实现速度/功率
- 高速:-35 ns
- 低功耗:-330 mW
- EPROM技术100%可编程
- 提供纤薄300密耳或标准600密耳封装
- 5V ± 10% VCC
- TTL兼容I/O
- 直接替换双极PROM
- 能够承受>2000V静电放电

