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WNM2020A-3/TR
N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM2020A-3/TR
- 商品编号
- C2941859
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 10.6 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 1.7mΩ（典型值）（VGS = 4.5V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
- 高效DC-DC转换器
- 开关稳压器