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WNM2046B-3/TR
N沟道 耐压:20V 电流:0.71A
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- 描述
- WNM2046B是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM2046B-3/TR
- 商品编号
- C2941861
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 710mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13.2pF |
商品概述
WNM2020A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020A为无铅产品。
商品特性
~~- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻-极低的阈值电压-小封装SOT-23
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关