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WNM3038-8/TR
N沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- WNM3038 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3038-8/TR
- 商品编号
- C2941864
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.2 mΩ（典型值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 6 mΩ（典型值）
- 30V/50A
- 先进的HEFET技术
- 超低导通电阻
- 出色的Qg x RDS(on)乘积
- 100%雪崩测试
- 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 不间断电源
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流