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WPM2065A-6/TR
P沟道 耐压:20V 电流:9.4A
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- 描述
- WPM2065A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2065A-6/TR
- 商品编号
- C2941873
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 304pF |
商品概述
WNMD4800 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WNMD4800 无铅且无卤。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装 SOP-8L
应用领域
- DC/DC 转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关