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WPMD2076-8/TR实物图
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WPMD2076-8/TR

P沟道 耐压:20V 电流:4.62A

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描述
WPMD2076 是一款双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。该高密度工艺专为最大程度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPMD2076-8/TR
商品编号
C2941879
商品封装
SOP-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.192克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.62A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.92W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7nC@10V
输入电容(Ciss)471pF
反向传输电容(Crss)46pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)51pF

数据手册PDF

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