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WPMD2076-8/TR
P沟道 耐压:20V 电流:4.62A
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- 描述
- WPMD2076 是一款双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。该高密度工艺专为最大程度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPMD2076-8/TR
- 商品编号
- C2941879
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 471pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿度敏感度等级3
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 沟槽工艺
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻,适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- SOP-8L封装设计
应用领域
- 电源管理
- DC-DC转换电路
- 负载开关
- 充电
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