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WPM3035-8/TR
P沟道 耐压:30V 电流:23A
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- 描述
- WPM3035 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM3035-8/TR
- 商品编号
- C2941876
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
WPM2065A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2065A无铅。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- ESD保护
- 小型DFN2x2-6L封装
应用领域
- 直流/直流转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- 充电