温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM3040-8/TR
N沟道 耐压:30V 电流:19A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WNM3040 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3040-8/TR
- 商品编号
- C2941865
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
WNM2046B是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2046B为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小型封装DFN1006-3L
应用领域
- 小信号开关-小型电机驱动