WNMD4800-8/TR
双N沟道,电流:6.9A,耐压:30V
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD4800-8/TR
- 商品编号
- C2941872
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 834pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-高功率和大电流处理能力
应用领域
- PWM应用-负载开关