WNMD2090-6/TR
双N通道,电流:0.62A,耐压:20V
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2090-6/TR
- 商品编号
- C2941871
- 商品封装
- PDFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 620mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.07nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.8pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷
应用领域
- 视频监视器-电源管理