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WNM6012-3/TR
N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 描述
- WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM6012-3/TR
- 商品编号
- C2941870
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.008W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2pF |
商品概述
WNM4001是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM4001为无铅产品。
商品特性
- 沟槽N沟道
- 超高密度单元设计，实现极低的Rds(on)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 采用SOT - 523小型封装设计
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关