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WCM2002-6/TR
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:0.88A
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- 描述
- WCM2002 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。标准产品 WCM2002 为无铅产品
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCM2002-6/TR
- 商品编号
- C2941856
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V,0.45A | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 74.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源（G-S）保护二极管
- 小型表面贴装封装（TSMT6）
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用