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FDMC6686P
1个P沟道 耐压:20V 电流:56A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6686P
- 商品编号
- C348535
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.01nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.28nF |