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FDMC6686P
1个P沟道 耐压:20V 电流:56A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6686P
- 商品编号
- C348535
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.01nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.28nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(ON)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -18 A时，最大导通电阻rDS(on) = 4 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -16 A时，最大导通电阻rDS(on) = 5.7 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -11 A时，最大导通电阻rDS(on) = 11.5 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-电池管理-电源管理-反极性保护