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FDD9410L-F085
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 3.3mΩ，VGS = 10V，ID = 50A。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 29nC，VGS = 10V，ID = 50A。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD9410L-F085
- 商品编号
- C348534
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 615pF |
商品概述
NCEP1520K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 150V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 59mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
-LED背光-适用于高频开关和同步整流