温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CJMNT32
N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：超低集电极-发射极饱和电压。 高直流电流增益。 小封装WBHFBP-06L-F。应用：充电电路。 便携式设备中的其他电源管理
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJMNT32
- 商品编号
- C2910048
- 商品封装
- WBHFBP-6L-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 61pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、封装于小型SOT323（SC-70）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 超低集电极-发射极饱和电压
- 高直流电流增益
- 小封装WBHFBP-06L-F
应用领域
-充电电路-便携式设备中的其他电源管理