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CJPF12N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 这种先进的高压MOSFET设计用于在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关。这种新的高能量器件还具有漏源二极管快速恢复时间。适用于高压、高速开关应用，如电源、转换器、功率电机控制和桥接电路。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJPF12N65
- 商品编号
- C2910320
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |