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CJPF04N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 这款先进的高压MOSFET专为在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关而设计。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。它适用于高压、高速开关应用，如电源、转换器、电力电机控制和桥式电路
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJPF04N65
- 商品编号
- C2910334
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
LM393系列由两个独立的精密电压比较器组成，失调电压低至2mV。它可以采用单电源或双电源供电，且电流不受电源电压大小的影响。这些比较器还具有一个独特的特性，即即使采用单电源供电，其输入共模电压范围也包含地电位。LM393系列有两种封装形式：DIP - 8和SOP - 8。
商品特性
- 宽电源电压范围
- 单电源：2.0V至36V
- 双电源：±1.0V至±18V
- 极低的电源电流损耗：0.8mA
- 与电源电压无关
- 低输入偏置电流：25nA（典型值）
- 低输入失调电流：±5nA（典型值）
- 低输入失调电压：±5mV（典型值）
- 差分输入电压范围等于电源电压
- 输出与TTL、DTL、ECL、MOS、CMOS兼容