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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU04N65

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

描述
采用先进技术,提供平面条纹,可实现最低导通电阻和卓越的开关性能。还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。广泛应用于高效开关电源。
商品型号
CJU04N65
商品编号
C2910353
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.45136克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

15N10采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF