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CJU60SN08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU60SN08

1个N沟道 耐压:80V 电流:60A

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描述
CJU60SN08采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于多种领域。
商品型号
CJU60SN08
商品编号
C2910352
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.43克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)92W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)6.6nF
反向传输电容(Crss)36pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.106nF

商品特性

  • 散热性能良好的优质封装
  • 超低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量

应用领域

  • 功率开关应用

数据手册PDF