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CJ3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：优秀的RDS(ON)。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ3415
- 商品编号
- C2910186
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSH047P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH047P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、低栅极电压
应用领域
- 负载开关和PWM应用