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CJ2301
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ2301
- 商品编号
- C2910170
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
MS33N25是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源