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CJZM718
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.5A
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- 描述
- 特性：高直流电流增益。 低阈值。 小封装DFNWB3x2-8L。 封装内独立包含一个晶体管和一个MOSFET。应用：充电电路。 便携式设备中的其他电源管理
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJZM718
- 商品编号
- C2910049
- 商品封装
- DFNWB-8L-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750nC | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最严苛的高效转换器。
商品特性
- 高直流电流增益
- 低阈值
- 小型封装DFNWB3x2-8L-I
- 封装内独立包含一个CJP718晶体管和一个CJ1012 MOSFET
应用领域
- 充电电路
- 便携式设备中的其他电源管理