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CJAB55P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- CJAB55P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAB55P03
- 商品编号
- C2910050
- 商品封装
- PDFNWB3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 550pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但更优，因为它具有绝缘安装孔。它还能在引脚之间提供更大的爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
-电池和负载开关