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TW3134KDW
耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.75A 功率(Pd)：0.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：270mΩ@4.5V,0.65A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW3134KDW
- 商品编号
- C2903534
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具备出色的反向恢复性能，可省去额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 54 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 98 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 876 pF）
- 100%雪崩测试
- 该器件无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-UPS/太阳能