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TW1515ASl
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW1515ASl
- 商品编号
- C2903536
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
800 V SUPERFET III MOSFET是一款高性能MOSFET系列产品，击穿电压为800 V。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，能够在不牺牲电磁干扰（EMI）性能的前提下，降低开关损耗和管壳温度。此外，内置齐纳二极管显著提高了静电放电（ESD）能力。 这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列产品在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频设备、照明设备、ATX电源和工业电源等）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。
商品特性
- 典型RDS(on) = 380 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 19.3 nC）
- 输出电容存储能量低（400 V时Eoss = 2.2 μJ）
- 100%经过雪崩测试
- 采用齐纳二极管提高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频设备-工业电源