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20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：60V。 漏极电流（ID）：20A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 20N06
- 商品编号
- C2890395
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.562nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75.4pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换