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AP30H80K
N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- 特性：30V, 75A。 RDS(ON) = 4.8mΩ (Typ.) @ Vss = 10V。 RDS(ON) = 6.5mΩ (Typ.) @ Vss = 4.5V。 先进沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关PWM应用
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP30H80K
- 商品编号
- C2849564
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 支持铜丝键合
- 栅极具备2KV人体放电模型（HBM）静电保护
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统